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FP50R12KT3BOSA1 Infineon module IGBT PIM à trois phases

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discretsTransistorsIGBTsIGBT modules	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	75 A
Statut du produit:	Actif	Type de montage:	Montage du châssis
le paquet:	Plateau	Série:	-
Emballage / boîtier:	Module	Le nombre maximal d'émissions de CO2:	2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	Pour les appareils électroniques	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Module
Mfr:	Infineon Technologies	Température de fonctionnement:	-40°C à 125°C
Courant - Coupe du collecteur (maximum):	5 mA	Type IGBT:	-
Puissance maximale:	280 W	Résultats de l'analyse:	La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	3.5 nF @ 25 V	Configuration:	Invertisseur à trois phases
Thermistors NTC:	- Oui, oui.	Numéro du produit de base:	Le numéro de série FP50

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discretsTransistorsIGBTsIGBT modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	75 A
Statut du produit:	Actif
Type de montage:	Montage du châssis
le paquet:	Plateau
Série:	-
Emballage / boîtier:	Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:	2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Module
Mfr:	Infineon Technologies
Température de fonctionnement:	-40°C à 125°C
Courant - Coupe du collecteur (maximum):	5 mA
Type IGBT:	-
Puissance maximale:	280 W
Résultats de l'analyse:	La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	3.5 nF @ 25 V
Configuration:	Invertisseur à trois phases
Thermistors NTC:	- Oui, oui.
Numéro du produit de base:	Le numéro de série FP50

Définition

FP50R12KT3BOSA1 Infineon module IGBT PIM à trois phases

Module IGBT Inverteur triphasé 1200 V 75 A 280 W Module monté sur châssis

Tags:

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.,

Module d'Infineon IGBT,

Module d'IGBT

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