VS-GT80DA120U Transistors bipolaires à porte isolée

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Définition: Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de réglage de la tension.

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discretsTransistorsIGBTsIGBT modules	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	139 A
Statut du produit:	Actif	Type de montage:	Montage du châssis
le paquet:	Produits en vrac	Série:	HEXFRED®
Emballage / boîtier:	Il s'agit de SOT-227-4, miniBLOC	Le nombre maximal d'émissions de CO2:	2.55V @ 15V, 80A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	Pour les appareils électroniques	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le SOT-227
Mfr:	Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes	Température de fonctionnement:	-40°C à 150°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):	100 μA	Type IGBT:	Fossé
Puissance maximale:	658 W	Résultats de l'analyse:	La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	4.4 nF @ 25 V	Configuration:	Unique
Thermistors NTC:	- Je ne sais pas.	Numéro du produit de base:	GT80

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discretsTransistorsIGBTsIGBT modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	139 A
Statut du produit:	Actif
Type de montage:	Montage du châssis
le paquet:	Produits en vrac
Série:	HEXFRED®
Emballage / boîtier:	Il s'agit de SOT-227-4, miniBLOC
Le nombre maximal d'émissions de CO2:	2.55V @ 15V, 80A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le SOT-227
Mfr:	Général semi-conducteur - Division de Vishay de diodes
Température de fonctionnement:	-40°C à 150°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):	100 μA
Type IGBT:	Fossé
Puissance maximale:	658 W
Résultats de l'analyse:	La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:	4.4 nF @ 25 V
Configuration:	Unique
Thermistors NTC:	- Je ne sais pas.
Numéro du produit de base:	GT80