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BFP540E6327BTSA1

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	80mA
Statut du produit:	Dépassé	Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface	Fréquence - Transition:	30 GHz
le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®	Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	5V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	PG-SOT343-3D
Mfr:	Infineon Technologies	Figure du bruit (dB Typ @ f):	0Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un environnement approprié.
Puissance maximale:	250mW	Les gains:	21.5 dB
Emballage / boîtier:	SC-82A, SOT-343	Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	50 @ 20mA, 3,5 V	Numéro du produit de base:	BFP540

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	80mA
Statut du produit:	Dépassé
Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface
Fréquence - Transition:	30 GHz
le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	5V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	PG-SOT343-3D
Mfr:	Infineon Technologies
Figure du bruit (dB Typ @ f):	0Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un environnement approprié.
Puissance maximale:	250mW
Les gains:	21.5 dB
Emballage / boîtier:	SC-82A, SOT-343
Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	50 @ 20mA, 3,5 V
Numéro du produit de base:	BFP540

Définition

BFP540E6327BTSA1

Transistors RF NPN 5V 80mA 30GHz 250mW Monture de surface PG-SOT343-3D

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