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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	100 mA
Statut du produit:	Dépassé	Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface	Fréquence - Transition:	12 GHz
le paquet:	bandeau	Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	6V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	-
Mfr:	Cel	Figure du bruit (dB Typ @ f):	10,7 dB @ 2 GHz
Puissance maximale:	200mw	Les gains:	13dB
Emballage / boîtier:	SC-82A, SOT-343	Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	75 @ 30mA, 3V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	100 mA
Statut du produit:	Dépassé
Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface
Fréquence - Transition:	12 GHz
le paquet:	bandeau
Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	6V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	-
Mfr:	Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f):	10,7 dB @ 2 GHz
Puissance maximale:	200mw
Les gains:	13dB
Emballage / boîtier:	SC-82A, SOT-343
Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	75 @ 30mA, 3V

Définition

Neuf ou plus

Transistor RF NPN 6V 100mA 12GHz 200mW Monture de surface

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