Détails du produit
Conditions de paiement et d'expédition
Définition: Les données de base sont fournies à l'aide d'un tableau de bord.
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
|
Courant - collecteur (Ic) (maximum): |
80mA |
Statut du produit: |
Actif |
Type de transistor: |
NPN |
Type de montage: |
Monture de surface |
Fréquence - Transition: |
8GHz |
le paquet: |
Produits en vrac |
Série: |
Automobile, AEC-Q101 |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
12 V |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS. |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Figure du bruit (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz |
Puissance maximale: |
580 mW |
Les gains: |
15 dB |
Emballage / boîtier: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. |
Température de fonctionnement: |
150°C (TJ) |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
70 @ 30mA, 8V |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
|
Courant - collecteur (Ic) (maximum): |
80mA |
Statut du produit: |
Actif |
Type de transistor: |
NPN |
Type de montage: |
Monture de surface |
Fréquence - Transition: |
8GHz |
le paquet: |
Produits en vrac |
Série: |
Automobile, AEC-Q101 |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
12 V |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS. |
Mfr: |
Infineon Technologies |
Figure du bruit (dB Typ @ f): |
1 dB ~ 1,6 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz |
Puissance maximale: |
580 mW |
Les gains: |
15 dB |
Emballage / boîtier: |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. |
Température de fonctionnement: |
150°C (TJ) |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
70 @ 30mA, 8V |
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