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BFG21W,115

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
18 GHz
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
4.5V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le CMPAK-4
Mfr:
NXP USA Inc.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
-
Puissance maximale:
600 mW
Les gains:
-
Emballage / boîtier:
SC-82A, SOT-343
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 200mA, 2V
Numéro du produit de base:
BFG21
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
18 GHz
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
4.5V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le CMPAK-4
Mfr:
NXP USA Inc.
Figure du bruit (dB Typ @ f):
-
Puissance maximale:
600 mW
Les gains:
-
Emballage / boîtier:
SC-82A, SOT-343
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 200mA, 2V
Numéro du produit de base:
BFG21
Définition
BFG21W,115
Transistor RF NPN 4,5 V 500 mA 18 GHz 600 mW Monture de surface CMPAK-4

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