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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	150 mA
Statut du produit:	Dépassé	Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface	Fréquence - Transition:	6 GHz
le paquet:	bandeau	Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	12 V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	-
Mfr:	Cel	Figure du bruit (dB Typ @ f):	3.5 dB @ 1 GHz
Puissance maximale:	1.8W	Les gains:	10 dB
Emballage / boîtier:	TO-243AA	Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	50 @ 50mA, 5V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	150 mA
Statut du produit:	Dépassé
Type de transistor:	NPN
Type de montage:	Monture de surface
Fréquence - Transition:	6 GHz
le paquet:	bandeau
Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	12 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	-
Mfr:	Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f):	3.5 dB @ 1 GHz
Puissance maximale:	1.8W
Les gains:	10 dB
Emballage / boîtier:	TO-243AA
Température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	50 @ 50mA, 5V

Définition

Pour les appareils à commande numérique

Transistor RF NPN 12V 150mA 6GHz 1.8W Monture de surface

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