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Définition: Réseau de télécommunications par radio NPN 30V 500MHZ

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)	Courant - collecteur (Ic) (maximum):	400 mA
Statut du produit:	Dépassé	Type de transistor:	NPN
Type de montage:	À travers le trou	Fréquence - Transition:	500 MHz
le paquet:	Plateau	Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	30 V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-39
Mfr:	Central Semiconductor Corp.	Figure du bruit (dB Typ @ f):	-
Puissance maximale:	5W	Les gains:	10 dB
Emballage / boîtier:	TO-205AD, le métal TO-39-3 peut	Température de fonctionnement:	-65°C \| 200°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	10 @ 50mA, 5V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):	400 mA
Statut du produit:	Dépassé
Type de transistor:	NPN
Type de montage:	À travers le trou
Fréquence - Transition:	500 MHz
le paquet:	Plateau
Série:	-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):	30 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	TO-39
Mfr:	Central Semiconductor Corp.
Figure du bruit (dB Typ @ f):	-
Puissance maximale:	5W
Les gains:	10 dB
Emballage / boîtier:	TO-205AD, le métal TO-39-3 peut
Température de fonctionnement:	-65°C \| 200°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:	10 @ 50mA, 5V

Définition

2N3866 PLATEAU

Transistor RF NPN 30V 400mA 500MHz 5W à travers le trou TO-39

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