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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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UPA811T-T1-A

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Les spécifications
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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
35 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
2 NPN (doubles)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
8GHz
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le code SOT-363
Mfr:
Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f):
1.9 dB @ 2 GHz
Puissance maximale:
200mw
Les gains:
7.5 dB
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 3V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
35 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
2 NPN (doubles)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
8GHz
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le code SOT-363
Mfr:
Cel
Figure du bruit (dB Typ @ f):
1.9 dB @ 2 GHz
Puissance maximale:
200mw
Les gains:
7.5 dB
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 3V
Définition
UPA811T-T1-A
Transistors RF 2 NPN (double) 10V 35mA 8GHz 200mW Monture de surface SOT-363

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