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NGTG15N60S1EG

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Définition: Transistors IGBT 15A 600V IGBT

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Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100	Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou	Courant de collecteur continu à 25 ° C::	30 A
Palladium - dissipation de puissance ::	47 W	Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus
Emballage / boîtier::	TO-220	Emballage::	Tuyaux
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V	Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,95 V
Fabricant::	un demi

Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100
Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	30 A
Palladium - dissipation de puissance ::	47 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus
Emballage / boîtier::	TO-220
Emballage::	Tuyaux
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,95 V
Fabricant::	un demi

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NGTG15N60S1EG

Le NGTG15N60S1EG,de onsemi,est des transistors IGBT.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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