FGH80N60FD2TU

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Définition: Transistors IGBT 600V 80A Arrêt de champ

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Les spécifications

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Catégorie de produit::	Transistors IGBT	Mode de montage::	À travers le trou
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus	Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 150 °C	Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 20 V
Emballage::	Tuyaux	Configuration::	Unique
Fabricant::	Fairchild Semi-conducteur

Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus
Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 20 V
Emballage::	Tuyaux
Configuration::	Unique
Fabricant::	Fairchild Semi-conducteur

Définition

FGH80N60FD2TU

Le FGH80N60FD2TU, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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