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Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100	Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou	Courant de collecteur continu à 25 ° C::	80 A
Palladium - dissipation de puissance ::	429 W	Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	1350 V
Emballage / boîtier::	TO-247-3	Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V	Emballage::	Tuyaux
Configuration::	Unique	Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	2 V
Fabricant::	Infineon Technologies

Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100
Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	80 A
Palladium - dissipation de puissance ::	429 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	1350 V
Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V
Emballage::	Tuyaux
Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	2 V
Fabricant::	Infineon Technologies

Définition

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

L'IHW40N135R3, de Infineon Technologies, sont des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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