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Définition: Transistors IGBT à haute tension à gain élevé BIMOSFET

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Les spécifications
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Courant de fuite de l' émetteur de porte::
+/- 200 nA
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
86 A
Palladium - dissipation de puissance ::
357 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
3 KILOVOLTS
Emballage / boîtier::
Le système ISOPLUS i4-Pak-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 25 V
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
2,7 V
Fabricant::
IXYS
Courant de fuite de l' émetteur de porte::
+/- 200 nA
Catégorie de produit::
Transistors IGBT
Mode de montage::
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
86 A
Palladium - dissipation de puissance ::
357 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
3 KILOVOLTS
Emballage / boîtier::
Le système ISOPLUS i4-Pak-3
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::
+/- 25 V
Configuration::
Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::
2,7 V
Fabricant::
IXYS
Définition
Le numéro d'immatriculation du véhicule
Le IXBF55N300,de IXYS,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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