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Définition: Transistors IGBT 600V ultra-rapide IGBT 40A 250W 75nC

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Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100	Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou	Courant de collecteur continu à 25 ° C::	40 A
Palladium - dissipation de puissance ::	125W	Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus
Emballage / boîtier::	TO-247-3	Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Emballage::	Tuyaux	Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,9 V	Fabricant::	Infineon Technologies

Courant de fuite de l' émetteur de porte::	Na 100
Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	40 A
Palladium - dissipation de puissance ::	125W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	600 V ou plus
Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Emballage::	Tuyaux
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	20 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,9 V
Fabricant::	Infineon Technologies

Définition

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

L'IRGP4640DPBF,de Infineon Technologies,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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