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Le système de détection des déchets est utilisé.

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Définition: Transistors IGBT Port de tranchée IGBT, série HB 650 V, 40 A à haute vitesse

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Courant de fuite de l' émetteur de porte::	+/- 250 nA	Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou	Courant de collecteur continu à 25 ° C::	80 A
Palladium - dissipation de puissance ::	283 W	Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	650 V
Emballage / boîtier::	TO-3P-3	Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 30 V	Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,6V	Fabricant::	STMicroélectronique

Courant de fuite de l' émetteur de porte::	+/- 250 nA
Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	80 A
Palladium - dissipation de puissance ::	283 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	650 V
Emballage / boîtier::	TO-3P-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 30 V
Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,6V
Fabricant::	STMicroélectronique

Définition

Le système de détection des déchets est utilisé.

Le STGWT40HP65FB,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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