NGD8201ANT4G

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Définition: Les transistors IGBT NGD8201ANT4G GEN4 sont des transistors IGBT

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Les spécifications

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Courant de fuite de l' émetteur de porte::	300 uA	Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	Le système de détection de l'émission	Courant de collecteur continu à 25 ° C::	20 A
Palladium - dissipation de puissance ::	125W	Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	D'une tension de 440 V
Emballage / boîtier::	DPAK	Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	15 V	Emballage::	Le rouleau
Configuration::	Unique	Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,5 V
Fabricant::	Littelfuse

Courant de fuite de l' émetteur de porte::	300 uA
Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	20 A
Palladium - dissipation de puissance ::	125W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	D'une tension de 440 V
Emballage / boîtier::	DPAK
Température de fonctionnement maximale::	+ 175 C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	15 V
Emballage::	Le rouleau
Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	1,5 V
Fabricant::	Littelfuse

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NGD8201ANT4G

Le NGD8201ANT4G,de Littelfuse,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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