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IRGP20B120UD-EP

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Définition: Transistors IGBT 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT Les transistors IGBT sont équipés d'un boîtier

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Les spécifications

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Catégorie de produit::	Transistors IGBT	Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	40 A	Palladium - dissipation de puissance ::	300 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	1,2 kilovolts	Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 150 °C	Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 20 V
Emballage::	Tuyaux	Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	3.05 V	Fabricant::	Infineon Technologies

Catégorie de produit::	Transistors IGBT
Mode de montage::	À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 ° C::	40 A
Palladium - dissipation de puissance ::	300 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::	1,2 kilovolts
Emballage / boîtier::	TO-247-3
Température de fonctionnement maximale::	+ 150 °C
Voltage maximal de l' émetteur de la porte::	+/- 20 V
Emballage::	Tuyaux
Configuration::	Unique
Voltage de saturation du collecteur-émetteur::	3.05 V
Fabricant::	Infineon Technologies

Définition

IRGP20B120UD-EP

L'IRGP20B120UD-EP,de Infineon Technologies,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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