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Le modèle FP50R06KE3

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Définition: Modules IGBT N-CH 600V 60A

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Les spécifications
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Catégorie de produit::
Modules d'IGBT
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
Économie 2
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Emballage::
Produits en vrac
Configuration::
Réseau 7
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
60 A
Produit::
Modules de silicium d'IGBT
Fabricant::
Infineon Technologies
Catégorie de produit::
Modules d'IGBT
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::
600 V ou plus
Emballage / boîtier::
Économie 2
Température de fonctionnement maximale::
+ 150 °C
Emballage::
Produits en vrac
Configuration::
Réseau 7
Courant de collecteur continu à 25 ° C::
60 A
Produit::
Modules de silicium d'IGBT
Fabricant::
Infineon Technologies
Définition
Le modèle FP50R06KE3
Le FP50R06KE3, de Infineon Technologies, est un module IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!

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